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| 2012年12月03日版 |
● 次世代不揮発性メモリ「スピン注入メモリ」(STT-RAM) 出荷開始 ... Everspin
● イオン性分子を塗布してグラフェンを半導体化できることを理論的に提示 ... JST
【電子部品のお助け隊（R)】
<<電子部品・半導体NEWS>>
皆さん、コンニチハ！
歴史モノの番組を見ると、良い結果であれ、悪い結果であれ、既に私達は次はどうなるかを知っているので、ワクワクはしても、主人公の悩み、苦悩、判断、そして決断に至るまで「ま～そうだよね...」程度にしか感じません。
でも、次に何が起こるか知らない『当の本人』の気持ちになってみてください。
たとえば、日本海海戦で戦艦「三笠」に乗船していた東郷平八郎の気持ち。
この海戦で負ければ、いや勝っても敵艦隊の一隻でも防衛線を突破し入港されたら、日本軍は補給ルートを断たれ致命的な窮地に陥るのです。
日本は負けるかもしれない...。相手は世界最強のバルチック艦隊...。
ギリギリのところまで追い込まれている指揮官の気持ちです。
...どうですか？
そう思えば、今直面している問題など小さなものです。
自分を信じ、最善の努力と不退転の覚悟を持って進みましょう。
それしか進む道はないのですから...。
さあ、今日も復興のために頑張りましょう！(^^)
【ニュース】
● 次世代不揮発性メモリ「スピン注入メモリ」(STT-RAM) 出荷開始 ... Everspin
http://hardware.slashdot.jp/story/12/11/28/2252210/%E6%AC%A1%E4%B8%96%E4%BB%A3%E4%B8%8D%E6%8F%AE%E7%99%BA%E6%80%A7%E3%83%A1%E3%83%A2%E3%83%AA%E3%80%8C%E3%82%B9%E3%83%94%E3%83%B3%E6%B3%A8%E5%85%A5%E3%83%A1%E3%83%A2%E3%83%AA%E3%80%8DSTT-RAM-%E3%80%81%E5%87%BA%E8%8D%B7%E9%96%8B%E5%A7%8B
Everspin Technologies は、次世代不揮発性メモリの有力候補とされるスピン注入メモリ (STT-RAM) のサンプルを一部顧客に出荷中であると発表した。...
【詳細】http://www.teldevice.co.jp/news_release/2012/press_121122.html
● イオン性分子を塗布してグラフェンを半導体化できることを理論的に提示 ... JST
http://www.aist.go.jp/aist_j/press_release/pr2012/pr20121130/pr20121130.html
ＪＳＴ 課題達成型基礎研究の一環として、産業技術総合研究所 ナノシステム研究部門 大谷 実 研究グループ付と筑波大学 岡田 晋 准教授らは、イオン性分子を２層のグラフェン表面に吸着させることによりグラフェンを半導体化できることを理論的に提示した。...
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【弊社に届いた前日の引き合い＜一部抜粋＞】
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