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| 2011年06月02日版 |
● 30nm級DRAMモジュールを出荷、20nm級DRAMは2011年下期に製品化 ... Samsung
● 無機材料ウェハにおける常温接合の新手法を開発 ... 東大
【電子部品のお助け隊（R)】
<<電子部品・半導体NEWS>>
皆さん、コンニチハ！(^^)
最近の先生は、愛情を持って子供と接しているのでしょうか？
愛情には、厳しさがあります。友達感覚では教えられないものです。
その子供の将来を考えて、上辺だけを教えるのではなく、心を教える。
なぜ、それが本当に必要なのか、なぜその態度が問題なのか、なぜその考え方がいけないのか...。
それを理解できないと、結局、その場限りの薄っぺらな人間が育ってしまう。
一番困るのが、自分自身に嘘をついて納得することですから...。
ガンバレ、新人諸君！
さあ、復興のために今日も頑張りましょう！(^^)
【ニュース】
● 30nm級DRAMモジュールを出荷、20nm級DRAMは2011年下期に製品化 ... Samsung
http://techon.nikkeibp.co.jp/article/NEWS/20110531/192257/
韓国Samsung Electronics Co., Ltd.は、30nm級の4GビットDRAMを使ったDDR3仕様のメモリ・モジュールの量産出荷を開始したと発表した。...
【詳細】http://www.samsung.com/global/business/semiconductor/newsView.do?news_id=1242
● 無機材料ウェハにおける常温接合の新手法を開発 ... 東大
http://journal.mycom.co.jp/news/2011/05/31/062/
東京大学大学院工学系研究科精密機械工学専攻の研究グループは、常温接合の新手法を発表、同方法を用いることで、従来は困難であった熱酸化膜やガラス、サファイア、圧電単結晶などの無機材料ウェハの接合を常温で実現することが可能となる。...
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